士兰微（SILAN）是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。公司成立于1997年9月，总部在中国杭州。得益于中国电子信息产业的飞速发展，士兰微电子已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体（IDM）的企业之一，其技术水平、营业规模、盈利能力等各项指标在国内同行中均名列前茅。公司的技术与产品涵盖了消费类产品的众多领域，在多个技术领域保持了国内领先的地位，如绿色电源芯片技术、MEMS传感器技术、LED照明和屏显技术、高压智能功率模块技术、第三代功率半导体器件技术、数字音视频技术等。同时利用公司在多个芯片设计领域的积累，为客户提供针对性的芯片产品系列和系统性的应用解决方案。

公司目前的产品和研发投入主要集中在以下五个领域：

+功率半导体&半导体化合物器件：包括各类功率器件、PIM模块、Si基GaN功率器件、SiC器件等

+功率驱动与控制系统：包括AC-DC，DC-DC、LED驱动芯片、IPM模块、栅驱动、隔离驱动、电机驱动芯片、SoC及MCU芯片、数字电源芯片等

+MEMS传感器：包括消费级传感器、车用传感器、心率、血氧、ALS/RGB/PS传感器，麦克风、温湿度、电流、MEMS微镜传感器等

+ASIC产品：包括信号链（逻辑&电平转换、开关电路、放大器&比较器、隔离电路、接口），电源管理（线性稳压电路、双极DCDC稳压电路、双极PWM控制器、达林顿驱动电路、基准电路）等

+光电产品：包括特色照明、车用照明、高端光耦、显示屏芯片及模组等

MOSFET器件的技术发展简图

•现有平面功率器件的参数进一步优化：

•沟道控制区域采用槽栅结构；改善沟道区的电流密度；（主要应用于100V以下的器件）；

•高压MOSFET采用超结结构，突破硅的极限，全面提升器件的性能。

•反向电流续流的寄生体二极管的快恢复处理；

•士兰SVF系列的平面高压MOSFET已经达到了平面结构的最高电流密度，与品牌大厂的同类产品技术水准持平；

•多层外延方案的超结MOSFET已完成开发并导入量产；目前正在进行深槽刻蚀方案的超结MOSFET开发